Temperature-Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n-Type GaN Regrown Ohmic Contacts

Ryota Maeda, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka

研究成果: Article査読

フィンガープリント

「Temperature-Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n-Type GaN Regrown Ohmic Contacts」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Keyphrases

Engineering

Material Science

Chemical Engineering