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研究成果
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Effects of active hydrogen on atomic layer epitaxy of GaAs
T. Meguro
, H. Isshiki, J. S. Lee, S. Iwai, Y. Aoyagi
物理学科
研究成果
:
Article
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査読
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「Effects of active hydrogen on atomic layer epitaxy of GaAs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Engineering & Materials Science
Atomic layer epitaxy
100%
Hydrogen
36%
Molecules
33%
Activation energy
23%
Vapors
10%
Temperature
9%
Physics & Astronomy
atomic layer epitaxy
47%
hydrogen
28%
energy of formation
23%
molecules
18%
activation energy
16%
vapor phases
9%
cells
6%
temperature
3%
Chemical Compounds
Atomic Layer Epitaxy
52%
Hydrogen
23%
Reaction Activation Energy
15%
Surface
14%
Molecule
11%
Flow
7%