メインナビゲーションにスキップ
検索にスキップ
メインコンテンツにスキップ
東京理科大学 ホーム
English
日本語
ホーム
プロファイル
研究部門
研究成果
専門知識、名前、または所属機関で検索
Effect of Ge inclusion on surface morphologies and the growth mechanism of Cu
2
(Sn
1-x
Ge
x
)S
3
films grown by the sulfurization of Ge/Cu/SnS precursors
Ayaka Kanai, Kunihiko Tanaka,
Mutsumi Sugiyama
電気電子情報工学科
研究成果
:
Article
›
査読
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「Effect of Ge inclusion on surface morphologies and the growth mechanism of Cu
2
(Sn
1-x
Ge
x
)S
3
films grown by the sulfurization of Ge/Cu/SnS precursors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Keyphrases
Surface Morphology
100%
Growth Mechanism
100%
Sulfurization
100%
Germanium Sulfide
100%
Surface Roughness
80%
Cu2GeS3
80%
Sulfide Compounds
60%
Solar Cell
20%
High Efficiency
20%
Grain Size
20%
X Ray Diffraction
20%
Upper Layer
20%
Vapor Pressure
20%
Cu2SnS3
20%
Pre-evaporation
20%
Effective Metric
20%
Surface Growth
20%
Material Science
Film
100%
Surface Morphology
100%
Germanium
62%
Surface Roughness
50%
Solar Cell
12%
X-Ray Diffraction
12%
Grain Size
12%
Surface (Surface Science)
12%
Earth and Planetary Sciences
Sulfide
100%
Surface Roughness
80%
X Ray Diffraction
20%
Grain Size
20%
Vapor Pressure
20%
Solar Cell
20%
Chemical Engineering
Film
100%