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研究部門
研究成果
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Scopus著者プロファイル
目黒 多加志
教授
理学部第二部
,
物理学科
ウェブサイト
https://www.tus.ac.jp/ridai/doc/ji/RIJIA01Detail.php?act=nam&kin=ken&diu=5D16
h-index
938
被引用数
16
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1981 …
2022
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(95)
類似のプロファイル
(1)
Pureに変更を加えた場合、すぐここに表示されます。
研究者プロファイル
研究・技術テーマ
負の電子親和力表面
電子放出材料
アルカリ金属の表面吸着構造
フィンガープリント
Takashi Meguroが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
1
類似のプロファイル
Atomic layer epitaxy
Engineering & Materials Science
100%
Electron affinity
Engineering & Materials Science
55%
Etching
Engineering & Materials Science
48%
atomic layer epitaxy
Physics & Astronomy
46%
Lasers
Engineering & Materials Science
41%
negative electron affinity
Physics & Astronomy
41%
Atomic Layer Epitaxy
Chemical Compounds
40%
Ions
Engineering & Materials Science
36%
ネットワーク
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研究成果
年別の研究成果
1981
1988
1990
1992
1993
1994
1996
2003
2007
2008
2009
2022
71
Article
10
Conference article
9
Conference contribution
2
Paper
3
その他
2
Comment/debate
1
Review article
年別の研究成果
年別の研究成果
Residual Ga
2
O
3
and Cs contribution to increase in maximum quantum efficiency of NEA-GaAs surface formed through two-step thermal cleaning process
Sada, Y.
,
Jono, M.
,
Kobayashi, D.
,
Yoshitake, Y.
&
Meguro, T.
,
15 10月 2022
,
In:
Applied Surface Science.
599
, 153936.
研究成果
:
Article
›
査読
Open Access
Electron affinity
100%
Quantum efficiency
79%
negative electron affinity
72%
cleaning
50%
Cleaning
47%
The photoemission characteristics of a NEA InGaN photocathode by simultaneously supplying Cs and O
2
Kashima, M.
,
Itokawa, Y.
,
Kanai, T.
,
Sato, D.
,
Koizumi, A.
,
Iijima, H.
,
Nishitani, T.
,
Honda, Y.
,
Amano, H.
&
Meguro, T.
,
15 10月 2022
,
In:
Applied Surface Science.
599
, 153882.
研究成果
:
Article
›
査読
Open Access
Electron affinity
100%
Photoemission
92%
Photocathodes
84%
Cesium
72%
negative electron affinity
72%
2
被引用数 (Scopus)
Study on surface processes and photoemission properties of NEA-GaAs after repetitive sequence of thermal pretreatment and NEA activation
Inagaki, Y.
&
Meguro, T.
,
1 4月 2020
,
In:
Japanese Journal of Applied Physics.
59
,
4
, 045504.
研究成果
:
Article
›
査読
Electron affinity
100%
Photoemission
92%
negative electron affinity
72%
pretreatment
56%
Chemical activation
45%
2
被引用数 (Scopus)
Study on work function and corresponding electron emission during NEA activation of GaAs surfaces
Sada, Y.
&
Meguro, T.
,
30 5月 2020
,
In:
Applied Surface Science.
513
, 145699.
研究成果
:
Article
›
査読
Electron affinity
100%
Electron emission
85%
negative electron affinity
72%
Electron Emission
70%
Work Function
59%
5
被引用数 (Scopus)
Analysis of negative electron affinity InGaN photocathode by temperature-programed desorption method
Kashima, M.
,
Sato, D.
,
Koizumi, A.
,
Nishitani, T.
,
Honda, Y.
,
Amano, H.
,
Iijima, H.
&
Meguro, T.
,
1 11月 2018
,
In:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics.
36
,
6
, 06JK02.
研究成果
:
Article
›
査読
Electron affinity
100%
Photocathodes
84%
negative electron affinity
72%
Quantum efficiency
61%
Desorption
58%
4
被引用数 (Scopus)