年別の研究成果
年別の研究成果
研究者プロファイル
研究・技術テーマ
遷移金属上の一酸化窒素の吸着
フィンガープリント
Katsumi Irokawaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
- 1 類似のプロファイル
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Growth process and morphology of three-dimensional GaSb islands on Ga/Si(111)
Hara, S., Machida, R., Yoshiki, K., Irokawa, K., Miki, H., Kawazu, A. & Fujishiro, H. I., 5月 2013, In: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 10, 5, p. 865-868 4 p.研究成果: Article › 査読
12 被引用数 (Scopus) -
Study of GaSb layers grown on Ga/Si(111)-√3 × √3 by scanning tunneling microscopy
Hara, S., Machida, R., Yagishita, K., Irokawa, K., Miki, H., Kawazu, A. & Fujishiro, H. I., 8月 2012, In: Japanese Journal of Applied Physics. 51, 8 PART 4, 08KB01.研究成果: Article › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
Study of initial growth layer of GaSb on Si(111) by scanning tunneling microscopy
Hara, S., Fuse, K., Machida, R., Yagishita, K., Irokawa, K., Miki, H., Kawazu, A. & Fujishiro, H. I., 8月 2011, In: Japanese Journal of Applied Physics. 50, 8 PART 4, 08LB03.研究成果: Article › 査読
4 被引用数 (Scopus) -
Study of Ga adsorption structure on Ni/Si(100) surface by scanning tunneling microscopy
Hara, S., Fuse, K., Suzuki, T., Yagishita, K., Hirata, Y., Irokawa, K., Miki, H., Kawazu, A. & Fujishiro, H. I., 8月 2010, In: Japanese Journal of Applied Physics. 49, 8 PART 4, 08LB03.研究成果: Article › 査読
2 被引用数 (Scopus) -
Study of H:Si(113)2×2 structure by scanning tunneling microscopy and ab initio calculation
Hara, S., Suzuki, T., Takahashi, I., Ohsumi, T., Fuse, K., Fujishiro, H. I., Irokawa, K., Miki, H. & Kawazu, A., 29 5月 2010, In: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 8, p. 261-265 5 p.研究成果: Article › 査読
Open Access2 被引用数 (Scopus)