年別の研究成果
年別の研究成果
研究者プロファイル
研究・技術テーマ
次世代ミリ波・テラヘルツ波帯低消費電力トランジスタの開発
次世代III-V CMOSの開発
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの研究
量子ドットLEDの開発
中赤外－遠赤外線光デバイスの開発
次世代III-V CMOSの開発
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの研究
量子ドットLEDの開発
中赤外－遠赤外線光デバイスの開発
フィンガープリント
Hiroki Fujishiroが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
- 1 類似のプロファイル
過去5年の共同研究と上位研究分野
国/地域レベルにおける最近の外部共同研究。点をクリックして詳細を開くか、または
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Size Control and Photoluminescence Characteristics of InSb Quantum Dots on GaSb Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy
Kuwabara, E., Yamamoto, K., Koseki, K., Gozu, S. I., Endoh, A. & Fujishiro, H. I., 7月 2024, In: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 221, 13, 2300659.研究成果: Article › 査読
Open Access1 被引用数 (Scopus) -
Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1−xInxSb High Electron Mobility Transistor Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer
Endoh, A., Hatori, K., Kishimoto, N., Hiraoka, M., Kemmochi, Y., Endoh, Y., Osawa, K., Hayashi, T., Machida, R., Watanabe, I., Yamashita, Y., Hara, S., Kasamatsu, A. & Fujishiro, H. I., 4月 2023, In: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 220, 8, 2200529.研究成果: Article › 査読
Open Access4 被引用数 (Scopus) -
High-Responsivity Ge Schottky Photodetectors With Short-Wave Infrared Transparent Conductive Oxide Electrodes
Ishii, H., Chang, W. H., Ishii, H., Koida, T., Fujishiro, H. & Maeda, T., 1 8月 2023, In: IEEE Electron Device Letters. 44, 8, p. 1244-1247 4 p.研究成果: Article › 査読
2 被引用数 (Scopus) -
Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer
Hatori, K., Kishimoto, N., Hiraoka, M., Endoh, Y., Osawa, K., Hayashi, T., Kemmochi, Y., Machida, R., Watanabe, I., Yamashita, Y., Hara, S., Kasamatsu, A., Endoh, A. & Fujishiro, H. I., 2022, 2022 Compound Semiconductor Week, CSW 2022. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (2022 Compound Semiconductor Week, CSW 2022).研究成果: Conference contribution › 査読
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Investigation of the growth mechanism and crystallographic structures of GaSb dots nucleation layer and GaSb thin film grown on Si(001) substrate by molecular beam epitaxy
Machida, R., Toda, R., Hara, S., Watanabe, I., Akahane, K., Fujikawa, S., Kasamatsu, A. & Fujishiro, H. I., 1 5月 2022, In: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 40, 3, 032703.研究成果: Article › 査読
1 被引用数 (Scopus)