年別の研究成果
年別の研究成果
研究者プロファイル
フィンガープリント
Atsushi Kobayashiが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
- 1 類似のプロファイル
過去5年の共同研究と上位研究分野
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Sputter epitaxy of ScAlN films on GaN high electron mobility transistor structures
Okuda, T., Ota, S., Kawahara, T., Makiyama, K., Nakata, K., Maeda, T. & Kobayashi, A., 3 2月 2025, In: Applied Physics Letters. 126, 5, 052105.研究成果: Article › 査読
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Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides: Advances in Superconductors, Semiconductors, and Ferroelectrics
Kobayashi, A., Maeda, T., Akiyama, T., Kawamura, T. & Honda, Y., 2025, (Accepted/In press) In: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science.研究成果: Review article › 査読
Open Access -
Characterization of ScAlN/GaN Toward Electronic Device Application
Maeda, T., Wakamoto, Y. & Kobayashi, A., 2024, 2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium, BCICTS 2024. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 1-4 4 p. (2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium, BCICTS 2024).研究成果: Conference contribution › 査読
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Hole Conduction Mechanism in In–Mg-Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition
Naito, A., Ueno, K., Kobayashi, A. & Fujioka, H., 5月 2024, In: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 221, 9, 2300806.研究成果: Article › 査読
Open Access1 被引用数 (Scopus) -
Structural and optical properties of epitaxial ScxAl1−xN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method
Maeda, T., Wakamoto, Y., Kaneki, S., Fujikura, H. & Kobayashi, A., 8 7月 2024, In: Applied Physics Letters. 125, 2, 022103.研究成果: Article › 査読
5 被引用数 (Scopus)