年別の研究成果
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研究者プロファイル
研究・技術テーマ
半導体材料中の欠陥シミュレーション
金属材料中の欠陥シミュレーション
材料強化メカニズムの解明
金属材料中の欠陥シミュレーション
材料強化メカニズムの解明
フィンガープリント
Atsuo Hiranoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
- 1 類似のプロファイル
過去5年の共同研究と上位研究分野
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研究成果
- 5 Article
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Atomic thermal fluctuation reduction method for robust local lattice structure identification in finite-temperature molecular dynamics
Hirano, A., Tsunemoto, Y. & Takahashi, A., 9月 2024, In: Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering. 32, 6, 065018.研究成果: Article › 査読
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Charge-transfer interatomic potential to reproduce 30° partial dislocation movements for 4H-SiC in the surface vicinity and its application to BPD-TED conversion
Hirano, A., Sakakima, H., Hatano, A. & Izumi, S., 5 1月 2024, In: Computational Materials Science. 231, 112588.研究成果: Article › 査読
3 被引用数 (Scopus) -
Effects of terraces and steps on the 4H-SiC BPD-TED conversion rate: A reaction pathway analysis
Hirano, A., Sakakima, H., Hatano, A. & Izumi, S., 7 3月 2024, In: Journal of Applied Physics. 135, 9, 095701.研究成果: Article › 査読
Open Access1 被引用数 (Scopus) -
Long-range Tersoff potential for silicon to reproduce 30° partial dislocation migration
Hirano, A., Sakakima, H., Hatano, A. & Izumi, S., 5 1月 2024, In: Computational Materials Science. 231, 112557.研究成果: Article › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
Reaction pathway analysis for the contraction of 4H-SiC partial-dislocations pair in the vicinity of surface
Hirano, A., Sakakima, H., Hatano, A. & Izumi, S., 8月 2021, In: Japanese Journal of Applied Physics. 60, 8, 085502.研究成果: Article › 査読
4 被引用数 (Scopus)